近期，全球碳化硅产业迎来两大重磅突破：国内天成半导体成功攻克14英寸碳化硅单晶技术，打破海外垄断；国际巨头Wolfspeed推出新一代AI数据中心先进封装平台，开辟碳化硅应用新场景，双重进展推动第三代半导体产业进入高质量发展新阶段。
国内突破：天成半导体实现14英寸碳化硅单晶量产级突破
3月11日，天成半导体官方微信发布公告，依托自主研发的晶体生长设备，公司成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30mm，实现了该尺寸技术的实质性突破。作为国内专注于碳化硅领域的高新专精特新技术企业，天成半导体此次成果不仅填补了国内相关领域的技术空白，更标志着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式从“12英寸普及”迈入“14英寸破冰”的关键跨越。
据悉，这款14英寸碳化硅单晶材料主要应用于半导体制造设备的核心碳化硅部件，其成功研制直接打破了日韩欧企业在该领域的长期垄断，为国内碳化硅产业在大尺寸赛道上赢得了话语权，也为全球碳化硅产业格局注入了中国变量。
公开信息显示，天成半导体在碳化硅领域技术积累深厚，2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，其12英寸N型碳化硅单晶材料的有效厚度更突破35mm，此次14英寸产品的突破，是公司技术迭代的必然成果。值得一提的是，公司自主研发的第三代长晶炉采用创新电阻炉工艺，将晶体生长速度突破0.4mm/h的行业瓶颈，微管密度降至0.5个/cm?以下，为大尺寸单晶制备提供了核心设备支撑。
大尺寸碳化硅衬底是第三代半导体产业规模化发展的核心关键，其优势在于能显著降低单位芯片成本、提升产品良品率，同时适配高端半导体器件。数据显示，12英寸衬底面积约为6英寸的4倍，芯片产出量可达6英寸的3.8~4.4倍，而14英寸产品将进一步放大这一成本与效率优势，加速碳化硅在高端领域的普及。
天成半导体的突破并非个例，近期国内碳化硅企业在大尺寸升级上呈现“多点开花”态势：
- 3月2日，三安光电在投资者互动平台表示，公司12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证，进入商业化落地倒计时；
- 2月22日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底的全流程工艺开发与测试；
- 1月23日，海目星旗下子公司海目芯微成功研制12英寸碳化硅单晶晶锭，实现6英寸、8英寸、12英寸全尺寸长晶技术布局；
- 2025年9月，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线；
- 天岳先进则已推出12英寸全系列衬底（半绝缘/导电P型/导电N型），凭借全生产环节技术自主可控，稳居全球第二大碳化硅衬底制造商之位。
目前，全球碳化硅主流厂商仍以6英寸产品为主，8英寸正处于快速上量阶段，国内企业在12英寸及以上大尺寸领域的密集突破，正推动我国从碳化硅产业大国向产业强国加速迈进。
国际动态：Wolfspeed推出300mm碳化硅AI封装平台
就在天成半导体发布突破消息的次日（3月12日），全球碳化硅知名企业Wolfspeed（沃孚半导体）官方微信宣布，推出基于300mm（12英寸）碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台，为先进AI和高性能计算封装解决方案提供可规模化的基础材料，精准切入AI算力升级带来的市场需求。
随着人工智能工作负载的快速提升，数据中心集成化程度不断提高，传统封装材料已难以满足高端AI芯片对封装尺寸、功率密度和功能复杂性的极致要求，而碳化硅的高导热、耐高温特性，成为破解这一痛点的关键。Wolfspeed首席技术官表示，该平台旨在将碳化硅的材料优势与行业标准制造基础设施相结合，为下一代人工智能和高性能计算封装架构拓展解决方案空间。
据悉，Wolfspeed正携手晶圆厂、OSAT（外包半导体封装和测试供应商）、系统架构师等生态伙伴，全面验证该平台的技术可行性、可靠性与集成路径，推动混合碳化硅—硅封装架构落地应用。作为率先实现300mm碳化硅晶圆量产的企业，Wolfspeed凭借全球超过2300项已授权及待申请专利的知识产权组合，正引领碳化硅技术向大尺寸、高端化转型。
碳化硅在先进封装领域的应用潜力已得到行业巨头认可。此前有媒体报道，英伟达计划在其新一代Rubin处理器的开发蓝图中，将CoWoS先进封装环节的中介层材料由硅替换为12英寸碳化硅衬底，以此破解Rubin平台1000W功耗与高密度Chiplet封装带来的热管理、结构可靠性、互连密度三大瓶颈，该方案最晚将于2027年导入应用。天岳先进等国内企业已凭借全系列12英寸衬底量产能力，提前卡位这一高增长蓝海市场。
行业全景：碳化硅前景广阔，短期业绩承压不改长期向好
作为第三代半导体的核心代表，碳化硅相比传统硅材料具备显著优势：拥有10倍的击穿电场强度、3倍的禁带宽度、2倍的极限工作温度、2倍的饱和电子漂移速率以及3倍的热导率。凭借这些独特特性，碳化硅正逐步突破硅基半导体的性能瓶颈，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、AI算力、高端工业等关键领域，成为支撑新兴产业发展的核心材料。
市场规模方面，集微咨询发布的《2025中国第三代半导体行业上市公司研究报告》显示，2024年全球碳化硅功率半导体器件市场规模达26亿美元，预计到2029年将攀升至136亿美元，年复合增长率高达39.9%，行业增长潜力巨大。另据Yole Group预测，到2030年全球碳化硅器件收入有望接近100亿美元，年复合增长率约20.3%。
不过，行业高速发展的同时，国内碳化硅企业也面临短期业绩压力。据证券时报·数据宝统计，A股市场上20余只碳化硅概念股中，已有14家发布2025年业绩数据，整体表现不佳：其中7家出现亏损，仅士兰微、温州宏丰、维科精密等少数企业实现业绩增长。
业绩下滑的核心原因在于国内碳化硅市场竞争加剧。以天岳先进为例，公司2025年实现营业总收入14.65亿元，同比下降17.15%，归母净利润亏损2.08亿元，同比下降216.40%。公司在业绩预告中表示，国内碳化硅衬底行业竞争日趋激烈，公司为扩大市场占有率、巩固行业地位，实施阶段性市场战略调整，导致产品平均销售价格下降，进而影响整体营收规模。此外，研发投入增加、税务滞纳金支出、汇兑损失等因素，也对企业利润形成拖累。据悉，2025年国内6英寸衬底库存一度超过50万片，部分产品成交价格接近甚至低于2000元/片，行业价格压力显著。
尽管短期承压，但机构对碳化硅行业长期前景依然看好。从机构评级来看，A股20余只碳化硅概念股中，有16只获得机构关注，其中扬杰科技、晶盛机电、华润微、斯达半导等企业的关注机构数量均在5家及以上；立昂微、天岳先进、海目星、晶升股份等企业最受看好，机构一致预测其未来两年业绩增速均值超100%。业内普遍预期，本轮材料端洗牌将在2026年末基本结束，届时行业集中度将大幅提升，具备技术优势和规模优势的企业有望获得定价话语权，推动行业进入高质量发展阶段。